บอลแกนทองแดงมีบทบาทสำคัญในบรรจุภัณฑ์ 3 มิติ รักษาเสถียรภาพของโครงสร้าง ปรับปรุงประสิทธิภาพความร้อนไฟฟ้า และรับประกันการเชื่อมต่อระหว่างกันที่มีความน่าเชื่อถือสูง- โดยเฉพาะอย่างยิ่งในหน่วยความจำ HBM และชิป AI สิ่งเหล่านี้เป็นเทคโนโลยีหลักที่สนับสนุนเพื่อให้ได้-การสแต็กที่มีความหนาแน่นสูงและ-การประมวลผลประสิทธิภาพสูง
ด้วยการแสวงหาพลังการประมวลผลและอัตราการถ่ายโอนข้อมูลในชิป AI และหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) สูง- ลูกบัดกรีแบบเดิมต้องเผชิญกับปัญหาคอขวด เช่น การล่มสลายและการย้ายถิ่นด้วยไฟฟ้าภายใต้กระบวนการบัดกรีแบบรีโฟลว์หลายครั้งและโหลดกระแสไฟฟ้าสูง ลูกแกนทองแดง (CCSB) ที่มีโครงสร้างเฉพาะตัว
รักษาความเสถียรของพื้นที่แพ็คเกจและรองรับการซ้อนหลาย-เลเยอร์ ในบรรจุภัณฑ์ 3 มิติ ชิปจะผ่านกระบวนการบัดกรีแบบรีโฟลว์หลายครั้ง ลูกโลหะบัดกรีแบบดั้งเดิมจะละลายอย่างสมบูรณ์ที่ 250 องศา และมีแนวโน้มที่จะพังทลายลงภายใต้แรงกดดันของส่วนประกอบชั้นบน- ซึ่งนำไปสู่การลัดวงจร อย่างไรก็ตาม แกนทองแดงของแกนทองแดงมีจุดหลอมเหลวสูงถึง 1,083 องศา ซึ่งยังคงแข็งในระหว่างการบัดกรี รองรับช่องว่างของบรรจุภัณฑ์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ ป้องกันการเสียรูปและการเชื่อมต่อ และรับประกันความสมบูรณ์ทางโครงสร้างของสแต็ค DRAM หลาย-เลเยอร์ HBM
การปรับปรุงประสิทธิภาพความร้อนไฟฟ้าเพื่อตอบสนองความต้องการการใช้พลังงานสูงของชิป AI
ด้วยค่าการนำไฟฟ้า 5-10 เท่าของลูกบอลบัดกรี ช่วยลดความหนาแน่นกระแสได้อย่างมาก ยับยั้งการเคลื่อนตัวด้วยไฟฟ้า ยืดอายุของข้อต่อบัดกรี และรับประกันความเสถียรของชิปฝึก AI ภายใต้-การทำงานที่มีโหลดสูงในระยะยาว
การนำความร้อนที่เหนือกว่าช่วยกระจายความร้อนอย่างรวดเร็วจากแกน HBM และ GPU บรรเทาปัญหา "ฮอตสปอต" และปรับปรุงความน่าเชื่อถือของระบบโดยรวม
